所谓集成电路工艺，就是将晶体管、二极管、电阻器、电容器等一定的工艺将电路所需的晶体管、二极管、电阻器、电容器等元件制成，然后用适当的工艺进行互连，再封装在管壳内，使整个电路的体积大大减小，导线和焊接点的数量也大大减少。那么集成电路的制造工艺有哪些呢？

1.单片集成电路工艺

采用研磨、抛光、氧化、扩散、光刻、外延生长、蒸发等一整套平面技术，晶体管、二极管、电阻器、电容器等元件同时制造在一小块硅片上，并采用一定的隔离技术，使各元件在电气性能上相互隔离。然后在硅片表面蒸发铝层，用光刻技术将其蚀刻成互连图形，使元件根据需要连接成一个完整的电路，形成一个半导体单片集成电路。

2.薄膜集成电路工艺

整个电路的晶体管、二极管、电阻器、电容器和电感元件及其互连由金属、半导体、金属氧化物、各种金属混合相、合金或绝缘介质膜组成，厚度小于1微米，并通过真空蒸发工艺、溅射工艺和电镀工艺重叠。用这种工艺制成的集成电路称为薄膜集成电路。

3.厚膜集成电路工艺

电阻、介质和导体涂层在氧化铝、氧化铍陶瓷或碳化硅衬铍陶瓷或碳化硅衬里上积累。沉积过程是使用一个细目丝网来制作各种薄膜的图案。这种图案是通过摄影制成的没有沉积涂层的地方，乳胶用于阻挡网格。清洗后，氧化铝基板印刷导电涂层，制成内部连接线、电阻终端焊接区、芯片粘附区、电容器底部电极和导体膜。干燥后，在750~950℃之间的温度下烘烤，挥发胶粘剂，烧结导体材料，然后通过印刷和烧成工艺制作电阻、电容器、交叉连接、绝缘子和彩色密封层。有源器件采用低共熔焊、再流焊、低熔点凸点倒置焊或梁引线等工艺制作，然后安装在燃烧的基板上，将导线焊接成厚膜电路。

以上是集成电路工艺的介绍。目前，单片集成电路除了向更高的集成度发展外，还向大功率、线性、高频电路和模拟电路发展。然而，在微波集成电路和大功率集成电路方面，薄膜和厚薄膜混合集成电路也具有优势。对集成电路感兴趣的朋友可以联系咨询我们~