芯片的质量主要由三个要素决定：市场、性能和可靠性。首先，在芯片开发的早期阶段，需要对市场进行充分的研究，以定义满足客户需求的SPEC；其次是性能。IC设计工程师设计的电路需要通过desiner模拟、DFT电路验证、实验室样品评估和FT，才能认为性能满足早期定义的要求；最后是可靠性。由于测试芯片只能确保客户在次获得样品时良好，因此需要进行一系列应力测试，模拟一些严格使用条件对芯片的影响，以评估芯片的寿命和可能的质量风险。

芯片的使用寿命根据浴缸曲线（bathtubcurve）分为三个阶段。阶段是初始故障：高故障率。由制造、设计等原因引起。第二阶段是本征失效：由设备本征失效机制产生的非常低的故障率。第三阶段：突破故障，故障效率高。对于新产品的可靠性，wafer、包装、包装和批量生产阶段的可靠性通常由相应的晶圆厂/密封测试厂控制，与旧产品差别不大。

评估芯片在包装、运输和焊接过程中对温度和湿度的抗性，仅限制非封闭包装（塑料密封）。模拟焊接过程中内部水蒸气对内部电路的影响是包装可靠性试验前需要进行的试验。

在芯片的长期存储条件下，高温和时间对设备的影响。仅对于塑料密封，分为带偏置（hast）和无偏置uhast测试，uhast需要提前PC处理。

TC还需要提前PC处理来检测芯片是否会因热疲劳而失效。

机械应力承载能力在高低温交替变化下，可能导致芯片电气或物理特性的变化。

HTSL在长期存储条件下不需要PC预处理高温和时间对设备的影响。

加速寿命模拟测试-主要测试产品的电气可靠性。

它主要用于评估芯片的寿命和电路可靠性，可以通过DFT测试模式和EVA板测试模式两种方式进行测试。

早期寿命失效，样本量大。

非易失性存储器耐久性试验只需验证包含该性能的芯片。正常完成一批可靠性试验至少需要两个月，制造商至少需要测试三批可靠性才能完成产品可靠性验证；此外，许多可靠性试验项目需要在第三方实验室进行测试，测试板、测试座椅和测试成本不小。因此，可靠性测试可以被称为一个耗时和金钱的大项目。然而，由于其测试项目较多，覆盖范围较广，以确保客户使用的芯片足够可靠。因此，可靠性测试也是芯片生命周期中不可或缺的一部分。